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CMB180P04G是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供非常優(yōu)秀的RDS（ON），非常適用于先進(jìn)的高效開關(guān)應(yīng)用，廣泛應(yīng)用于負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路、LED控制、電機(jī)控制等。

CMD65P02是采用Cmos先進(jìn)溝槽工藝開發(fā)的一款P溝道低壓增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,具有-20V漏源電壓（VDS）和-65A漏極電流（ID）（常溫條件）,具有抵抗高達(dá)-260A的脈沖電流的高性能抗沖擊性。

CMP107N20是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT技術(shù)工藝生產(chǎn)，具有優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻RDS(ON)，是高頻開關(guān)和同步整流的理想MOS，也非常適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池管理、不間斷電源、逆變器電源等等。

CMSL025N12是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供非常優(yōu)秀的RDS（ON），廣泛應(yīng)用于負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路、UPS電源、能量逆變器電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。是一款高效、可靠的優(yōu)秀MOS管。

CMD30N10是采用Cmos溝槽工藝封測(cè)的一款N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。特點(diǎn)是，具有更低的閘間電容，擁有更優(yōu)秀的開關(guān)特性，滿足超高頻率開關(guān)切換電路的應(yīng)用。