CMSA012N04L是采用廣東場效應半導體有限公司(Cmos)先進的SGT工藝技術和設計,提供優秀的RDS(ON),采用DFN-8 5x6封裝,能夠減小PCB板尺寸和提高空間利用率,是緊湊型DC-DC電源、高頻切換電源、高能效電源、服務器和通用應用的同步整流設備的優秀MOS。
CMD079N10是采用Cmos半導體成熟工藝開發的一款綜合性能優異的MOSFET,用在電源產品中的同步整流模塊效果十分理想。
CMD5941采用Cmos先進的溝槽技術和設計,提供優秀的RDS(ON)與低門電荷,具有低導通損耗和低開關損耗,它可以高效用于多種應用電路中,包括不限于DC-DC直流變換器、逆變器、電機驅動等。
CMD65R380Q功率MOSFET,使用Cmos先進的超結技術,提供優秀的RDS(ON)和極低門電荷。
CMP107N20是采用Cmos柵極多級分割優化溝槽工藝研發的N溝道金屬氧化物半導體場效應管,設計理念追求高能效、綠色和可持續發展。