隨著電力電子技術的不斷發展，各類分立器件應用已經非常廣泛。金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），以其低功耗、高頻率開關速度的特點在現代電路中得到大力發展。但是隨著功率開關場效應晶體管朝著高頻化發展，針對場效應開關管的驅動電路設計要求也愈來愈高。
CMD8N50是廣東場效應半導體有限公司通過調研市場使用環境，有針對性的專門開發的一款高壓小電流型應用半導體器件。
CMSA035N06L是一款60V SGT(Split Gate Trench)工藝 N溝槽場效應管，其漏源導通電阻RDS(ON)最大僅有3.3MΩ，其中關鍵性能指標／品質因數（FOM）的優化降低使其自身能量傳送效率大幅提高。
CMP50N20是一款200V平面工藝N溝槽場效應管，這種工藝典型特點是抗沖擊能力強和參數一致性表現好。
CMSA030N04是Cmos有一款采用PDFN封裝的 N溝道的MOSFET。為了拓展客戶實際應用電路物料的兼容性，PDFN封裝可以和SOP-8封裝互相替代
