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中壓優秀MOS：CMP107N20

>>CMP107N20詳情頁面

CMP107N20是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT技術工藝生產，具有優秀的導通電阻RDS(ON)，是高頻開關和同步整流的理想MOS，也非常適合用于電機驅動控制、電池管理、不間斷電源、逆變器電源等等。

CMP107N20的主要電氣特性包括： 

耐壓能力：CMP107N20的耐壓（BVDSS）為200V。

電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）是105A。

雪崩能量：CMP107N20采用（Cmos）先進的SGT技術工藝，100%雪崩測試，單次雪崩能量EAS為2311mJ，有很強的抗沖擊能力。

低熱阻：CMP107N20采用TO-220封裝，具有優秀的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為0.42℃/W。

低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMP107N20的導通電阻（RDS(on)）最大只有10mΩ。低導通電阻能降低導通狀態下的損耗，能提高整體電路的能效。

低開關損耗：低QG、結電容，使其具有優越的開關性能，和低開關損耗。

CMP107N20優秀的性能，使其可以非常好的應用于多種電路，包括不限于電池管理、不間斷電源、高頻開關和同步整流、電機驅動控制、逆變器電源等多種應用。

通過優化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優秀特性集成到CMP107N20中，使其在電路應用中表現出色。