CMSA085DN06AU是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進的SGT技術(shù)，具有非常出色的RDS（ON）。
CMSL107N20是一款N型場效應(yīng)功率管，采用Cmos先進的柵裂工藝研發(fā)，優(yōu)秀的高頻特性、低導(dǎo)通內(nèi)阻以及理想的散熱性使其具有非常廣泛的應(yīng)用場景
CMP034N06是一款高性能的N溝道功率場效應(yīng)管（MOSFET），采用先進的SGT工藝制成，具有優(yōu)秀的電特性，適用于車載電子、電動工具、LED照明、不間斷電源等大功率、高效率的開關(guān)場景。
CMP130N85A是采用Cmos成熟的柵極多層分割槽工藝制造的一款金屬氧化物功率半導(dǎo)體分離器件。
CMD8447B MOSFET是廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）推出的一款泛應(yīng)用類功率MOSFET,卓越的電器特性使其在電源開關(guān)類，驅(qū)動控制類電子電路中得到廣泛應(yīng)用。
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