隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，各類分立器件應(yīng)用已經(jīng)非常廣泛。金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），以其低功耗、高頻率開關(guān)速度的特點(diǎn)在現(xiàn)代電路中得到大力發(fā)展。但是隨著功率開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管朝著高頻化發(fā)展，針對(duì)場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要求也愈來愈高。
CMD8N50是廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司通過調(diào)研市場(chǎng)使用環(huán)境，有針對(duì)性的專門開發(fā)的一款高壓小電流型應(yīng)用半導(dǎo)體器件。
CMSA035N06L是一款60V SGT(Split Gate Trench)工藝 N溝槽場(chǎng)效應(yīng)管，其漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)最大僅有3.3MΩ，其中關(guān)鍵性能指標(biāo)／品質(zhì)因數(shù)（FOM）的優(yōu)化降低使其自身能量傳送效率大幅提高。
CMD4932是廣東場(chǎng)效應(yīng)有限公司推出的一款低壓P溝道溝槽型功率場(chǎng)效應(yīng)管。CMD4932具有卓越的穩(wěn)定性，已在無刷電機(jī)、LED燈控、汽車電子等行業(yè)得到廣泛應(yīng)用。
CMF80R450P功率MOSFET，是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)非常低的內(nèi)阻RDS(on)和柵極電荷QG。
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