850V超結MOS：CMF85R290R
850V超結MOS：CMF85R290R
CMF85R290R是采用Cmos先進超級結技術的功率MOSFET，實現(xiàn)非常低的導通電阻和柵極電荷，通過使用優(yōu)化的電荷耦合技術，提供更高的效率。這些友好的器件設計提供了低EMI和低開關損耗的優(yōu)勢。非常適合充電器、適配器及各類開關切換模式電源。
卓越的電氣特性
CMF85R290R的主要電氣特性包括：
高耐壓能力：CMF85R290R的耐壓（BVDSS）為850V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）為19A。
雪崩能量：CMF85R290R采用Cmos先進超級結技術，100%雪崩能量測試，單次雪崩能量EAS為29.4mJ。
低EMI：CMF85R290R采用先進超級結技術，應用時具有低EMI的特點。
低熱阻：CMF85R290R采用TO-220F封裝，具有良好的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為2.9℃/W，有良好的散熱能力。
低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMF85R290R的導通電阻（RDS(on)）最大為0.26Ω。低導通電阻能降低導通狀態(tài)下的損耗，提高電路的能效，使得在開關電源電路應用中效率更高。
低開關損耗：低QG、較小的CISS，使其具有優(yōu)越的開關性能，較小的開關損耗。
適用范圍廣泛
CMF85R290R 由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應用電路，包括不限于充電器、適配器及各類開關切換模式電源。MOS管的低熱阻、低導通電阻直接決定管子工作時的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結電容，使管子有較好的開關特性及低開關損耗。通過優(yōu)化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMF85R290R中，使其在電路應用中表現(xiàn)出色。
