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CMP006N12：優秀電機驅動MOS

>>CMP006N12詳情頁

CMP006N12是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的溝槽技術和設計，具有優秀的RDS（ON）和低柵極電荷QG。它可以用于多種電路應用中，如同步整流、逆變器、電機驅動等。

CMP006N12的主要電氣特性包括： 

耐壓：CMP006N12的耐壓（BVDSS）為120V。

電流：在25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）高達120A，瞬間沖擊電流IDM更是高達360A，這使得CMP006N12在高功率大電流應用中表現出色。

雪崩能量：CMP006N12采用先進的溝槽技術，單次雪崩能量EAS為480mJ，使其有很強的抗沖擊能力，能承受高能量脈沖，提升了其耐用性和可靠性。

低熱阻：CMP006N12采用TO-220封裝，具有優秀的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）低至0.5℃/W。工作時能夠有效地將熱量散發出去，提高了系統的穩定性和可靠性。

低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMP006N12的導通電阻（RDS(on)）最大只有5.8mΩ。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗，提高了整體電路的能效。

低開關損耗：低QG、結電容，使其具有優越的開關性能，和低開關損耗。

CMP006N12 由于擁有大電流、高EAS、低熱阻、低導通電阻等優異的特性，適用于多種電路應用，如同步整流、逆變器、電機驅動等。

CMP006N12采用的TO-220封裝，其優秀的電氣特性，使其能夠在各種高應力環境下穩定工作。通過優化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些特性集成到CMP006N12中，使其在各種電源電路應用中表現出色。