CMF65R105：開關(guān)電源的優(yōu)選
CMF65R105：開關(guān)電源的優(yōu)選
CMF65R105使用Cmos先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)非常低的電阻和門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)可以提供高的效率。非常適合于開關(guān)電源應(yīng)用，如PFC、適配器、服務(wù)器/電信電力、FPD電視電源、ATX電源和工業(yè)電源等應(yīng)用。
卓越的電氣特性
CMF65R105的主要電氣特性包括：
耐壓與電流能力：CMF65R105的耐壓（BVDSS）為650V，在25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)31A。
高EAS：CMF65R105采用Cmos先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)，EAS達(dá)到1353mJ，具有很強(qiáng)的抗沖擊能力。
低導(dǎo)通損耗：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMF65R105的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大為0.1Ω。低導(dǎo)通電阻降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，提高了電路的能效，使得在各種開關(guān)電源電路使用中效率更高。
低開關(guān)損耗：較小的QG、CISS，使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能，較小的開關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMF65R105 MOS管由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應(yīng)用場景，在各種開關(guān)電源電路中，MOS管的低導(dǎo)通電阻、低QG、低結(jié)電容，使其有較好的開關(guān)特性及低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗，并直接影響工作時的溫升、可靠性、能效，CMF65R105表現(xiàn)出色，能夠很好地滿足電路需求。
